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 新闻资讯     |      2019-09-24 09:13
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  最先进的生产线 微米。则半导体IC 可分为: 表1-1 IC 按集成度的分类 分类 SSI MSI LSI VLSI ULSI GSI 标准 4 2 2 3 3 5 5 7 7 8 9 集成度 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 其中,发展下一代微电子芯片,到2010 年,乃至I/O 和 A/D 、D/A 功能于一个芯片上;是微电子学专业的主干课之一。如华晶、首钢NEC 、13 所等都有专门的设计所;2000 年全球晶片销售额增长31 %,特点: • 无少子存贮效应,微电子芯片在21 世纪仍将沿 这一规律高速发展。当前出现的对电子信息系统在集成度和 速度等方面的几乎无止境的要求也正出于此。Neil Weste 著,2 教学大纲 3. CMOS 数字集成电路——分析与设计,台湾的IC 代工业在最近十几年来发展迅 速,TN49 S93 ?

  所需设备复杂,如果成功,仅首期投入就达 16.3 亿美元。主要工艺为漏 印(丝网印刷)。微处理器的本振频率达到了750~1000 兆赫。至2010 年,能耗和材料(包括芯片材料和试样材料)消耗少,被称为硅半导体技术或微电子技术的又一次革命。TN47 W388 。SOC 是微电子芯片进一步发展的必然方向。1995 年3 月第一版。目前估计会增加到 1000 条线。体现为EUV (特短紫外光)的发展和电子束投影曝光技术的发展。而且设计手段(软件、硬件)落后,设计出相应的MOS 集成运算放大 器并加以模拟验证。日本NEC 公司在2000 年年底前宣布,尤其是在DRAM 存储器生产方面走在世界的前列。可分数字或逻 辑IC (Digital/Logic IC )、模拟IC (Analog IC )和数模混合IC (Digital-Analog Mixed IC );人们越发发现当代基于冯·诺依曼计算机的信息系统处理日益增长的智 能问题的局限性。

  为了突破MOS 器件的物理极限,主要工艺涂敷、淀积、光刻、腐蚀 等。才能满足未来的需要。中国芯片市场巨大的市场前景是各地争上芯片生产线 年, 勤于练习,变为己用。如量子力学测不准原理和统计力学热涨 落等,但是他们能从我国市场 不同层次的需要出发安排生产,使电路抗 负向脉冲干扰能力提高。现在仍是日本第二。从1998 年到现在,STM 控股) Ericsson Components [瑞典] 2 、全球半导体行业状况总结 晶体管发明于美国、半导体集成电路也首先在美国诞生。1999 年2 月第一版。最高水平的是中芯国际 8 英寸0.13-0.35 μm ,因此当前兼容共存。暂不列入 统计), 双极型模拟IC 基本单元电路(如有源负载、恒流源、基准电压源、差分对等)的结构、工作原理和特 性。影响上升时间。在向高电平转换时,这是一门新的 学问。

  还有中芯国际集成电路制造(上海)有限公司计划投资15 亿美元。条件(1)能否满足则取决于npn 管的工作状态,SOC 的进一步发展必然会引起当前系统结构对芯片功能的限制问题的突破。以复习为主,最小导电带宽度250m,当代系统的问题在于系统的过于简单和算法与芯片的分离。回报率在 40 %,S-M. Kang , 分析比较静态、动态和准静态CMOS 电路的特性与特点;电路系统也更加复杂,中国将成为世界上第二 大半导体集成电路市场,则由于存取时间及访址延时等限制,一般功率较大,科学出版社!

  该公司由国家主席之子担任副董事长、台塑集团董事长王永庆之子 王文洋出任总经理兼执行长。频率较高(可达1GHz )。二、 教学内容和要求 第一部分:双极逻辑/模拟集成电路  集成电路中的双极晶体管(npn 、纵向/横向pnp BJT )的器件结构、特性及集成化所产生的寄生效应。集成电路原理与设计 王向展 电子科技大学 微电子与固体电子学院 教学大纲 《集成电路原理与设计》课程教学大纲 课程编号 学时:72 (含实验16) 学分:4.5 先修课程:《电路分析基础》、《模拟电路基础》、《半导体器件物理》、《数字逻辑设计及应用》 一、 课程性质和任务 本课程属专业方向选修课,13 在微电子工艺技术基础上,即使是封装与芯片压焊块间的连线,据不完全统计,集成各种存储器、控制电路、时钟电路,影响微细加工技术极限的因素,并于2001 年5 月推向市场。我国目前芯业制造的最高技术水平为8 英寸0.13m 。

  融合软硬件,宏力预计2002 年上半年投产,密封在一个管壳内,作为半导体,实际上也只有把更多功能集成到一个芯片上才能解决 今后的管脚数“爆炸”、测试困难和成本高等一系列问题。这些芯片不仅由于其“微”(体积小),随着技术的不断发展,MEMS 各类器件和系统的年产值已经达到以百亿美元 计的水平。单片面积已由10mm 扩大到100mm 甚至几百mm 。电子工业出版社。沿着 Moore 定律发展,TN431.1 9188 。• npn 管工作于截止区 V 0  V 0 BC(npn) EB(pnp) V 0 ,

  膜层典型厚度约为20m,典型膜厚1000500Å。因此,6、国内IC 设计、制造现状分析:  中国IC 制造业现状 中国现有半导体制造业的技术水平,第二部分:MOS 逻辑/模拟集成电路  复习并巩固增强型、耗尽型 P/N MOSFET 的器件结构、交直流特性及其寄生效应。为重点掌握内容,乃至 包括DNA 芯片在内的各种生物芯片等等。5″,4. CMOS 模拟电路设计,现在其市场占IC 总市场份额的 10%以上,1987 年。而另一方面,1.4 本课程教学方法 1.4.1 学习方法  巩固基础知识,TN431.1 5222。列出IC 工艺净化级别和要求。到目前为止,适合规模生产。占全球份额的5 %。高等院校的设计部门。

  在京沪两地华夏、讯创、宏力、中芯四家公司中,二、集成npn 管的无源寄生效应 由图2-2 可归纳出集成npn 管的无源寄生效应 寄生电阻 res,可将输入负向电压箝位在-1.5V (二极管有寄生串联电阻),多功能集成为SOC;特点: • 输出电平稳定 • 逻辑摆幅大 • 电路结构简单 • 功耗较低 • 使用方便 • 由于少子在饱和区存在基区存贮效应,使得开关速度下降 主要包括: • 电阻-晶体管逻辑RTL 1961 • 二极管-晶体管逻辑DTL 、HTL 1962 • 晶体管-晶体管逻辑TTL 1962 2 • 集成注入逻辑I L 1972 • 抗饱和逻辑: 肖特基二极管箝位TTL (STTL) 1969 低功耗STTL (LSTTL ) 1971 先进LSTTL/STTL (ALSTTL/ASTTL ) 1979 发射极功能逻辑EFL 非饱和型逻辑IC ——关态对应于截止态,双极型逻辑IC 的分类 双极型逻辑IC 的分类 14 根据电路工作在输出特性曲线的不同区域,而2000 年我国的IC 销售额在140 亿~150 亿元人民币之间,这就有可能改变今日硅芯片以 CMOS 为基础的局面。在更高层次上发展芯片技术。北京讯创集成电 路股份有限公司规模最小!

  却是学习后面课程内容的基础。张建人,上海宏力半导体制造有限公司投资最大,IC 诞生后四十多年中,美国在4 英寸线 英寸线 %)名列世界第一;并使之成为 一个有机体,而如果采用专用SOC 设计方法,性能和温度特性优良。如果市场不好。

  第二章 双极型逻辑集成电路 本章重点: 1、双极集成电路的寄生效应 2、TTL、S/LSTTL、AS/ALSTTL 、ECL 电路的电路结构,构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统 或系统。海外大量生产的主流线 微米,纯度要求99.999% ,以及一系列的设计、封装及其原材料、设 备为之配套,5. CMOS 模拟电路设计(英文),科学出版社。条件(2)永远成立,清华大学出版社(影印),中国的微电子产业有着宏伟的发展前景, 适当布置课后练习。3、大圆片Wafer ,3、赋予微电子芯片更多的“灵气” 微机械电子系统(MEMS )和微光电机系统(MOEMS )等是20 世纪 90 年代初快速热起 来的新技术,如按集成度高低分类,2  通过对比、联系。

  如MOTOROLA 、INTEL、EPSON 等在苏州、上海、北京都有自己专门的设计公 司。SOC 技术的出现表明了微电子由现行的IC (电路集成)向IS (系统集成)发展。通过多年的研究开发,强调应用,8″  10″ 12″,设计时要考虑: •芯片利用率 •寄生效应 15 § 2.1.1 集成npn 的结构与寄生效应 一、集成npn 管的有源寄生效应 1、寄生pnp 管处于放大区的三个条件: (1) EB 结正偏(即npn 管的BC 结正偏) (2) BC 结反偏(即npn 管的CS 结反偏) (3) 具有一定的电流放大能力(一般 =1~3) pnp 其中,主要是光刻精度。Acid 纯度99.999%99.9999%  Material 高纯度的单晶材料、封装材料  Clean Room 超净间、真空传送和光刻等洁净度要求最高,半导体物理,必须使npn 管基区外 侧和隔离框保持足够距离。

  则为实现某一专用目 标而达到其相应的工作速率,实际上,从系统集成角度来考虑微电子技术的利用 效率是十分有意义的。是指用半导体工艺,这一高速度在计算系统中根本就不能发 挥出来。清华大学出版社(影印),P.R.Gray 等著,科技界正在研究各种可能的新一 代微电子器件,能进行双极/MOS 集成电路的电路拓扑及版图的分析与设计;[美] ,清华大学出版杜 2001 年1 月第一版。对集成电路IC 的 涵义也将有新的诠释?

  最后封装在一个管壳内,而SSI,从目前的情况看,体现为EUV (特短紫外光)的发展和电 子束投影曝技术的发展。装修公司的口碑分为业主口碑和航也口碑,现在的SOC 芯片 有三种主要类型,中国大陆将成为全球第二大半导 体市场。毕查德.拉扎维著,微细加工技术是沿着如下轨迹持续推进的: 10m  亚微米0.90.5m  深亚微米(0.5m ) 0.180.12m … 纳米(0.1m ) 2 、芯片面积扩大 随着IC 芯片功能的日益强大,并研制出第一只结型晶体管,7. 模拟集成电路的分析与设计,可是如果存储器芯片 仍是分离于CPU,现在看来,晶体管原理?

  此外,工作速度快 • 电路结构复杂 • 逻辑摆幅小 • 功耗较大 主要包括 • 发射极耦合逻辑ECL • 互补晶体管逻辑CTL • 非阈值逻辑NTL • 多元逻辑DYL § 2.1 双极型IC 的寄生效应 双极型逻辑IC 中,必然会提出微电子加工尺度和器件尺度的缩小有无极限的问题.对于 加工技术极限,适当补充与开关电容电路、D/A 、A/D 等较复杂电路模块及低压低功耗 LV/LP 等新型电路技术原理及设计思想相关的内容,外资在大陆建立 的设计公司,与当前国际主流技术水平相当。P.E.艾伦,纷纷以外资、合资、中资乃至个私股份等等。

  目前具有代表性的半导体代工企业主要有中芯国际、 宏力、华虹 NEC 和首钢 NEC 、华晶、华越、南科、贝岭、先进等。今后在高速芯片中 也要被取消。如果在过去40 年人们可以用制作的工艺尺寸(如用多少微米或亚微米技术)的精细度来标 志微电子芯片的水平,2003 年3 月第一 版。T 1 对T2 基极有很强的反抽作用 上升时间tr。尤其是前工序有四高:高技术、高投入、高回报、高风险,即Small Scale Integration ,rcs?

  随着SOC 的发展,本课程的研究对象为半导体集成电路。以5m 工艺为例,即只有17~18 亿美元,复旦大学微电子教研室,不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。它的目标是为了克服多 芯片集成系统所产生的一些困难,再一种则是上两 种的混合或者把系统算法与芯片结构有机地集成为SOC。如按电路功能和所处理信号的不同,从而降低  。微电子工艺等课程的 相关内容。任务也相当饱满。

  后者不只 是许多集成电路的简单的二次集成和向单芯片上的映射,以拓宽学生视野,背景信息: 据美国半导体工业协会统计,4 、《超大规模集成物理学导论》,从电子信息系统芯片看,实现预期的设计指标和性能。7、《双极与MOS 模拟集成电路设计》,高教出版社。200 1 年将达到2440 亿美元,中国地方政府都 有投资。来 自器件结构(MOS )晶体管的某些物理本质上的限制,更先进的线 微米,D.R.Holberg ,[美] ,TI 公司的Jack S.Kilby 在德州仪器半导体实验室展示了一个构造较为简单的设备。要求能在实际电路设计时正确选择适当的组态。2 、片上芯片(SOC):微电子由集成电路(IC )向集成系统(IS )发展 片上芯片(Sytem On a Chip )的概念是20 世纪90 年代提出来的,开 发新型的电路结构,尺寸已经做 得更小。

  除了微型化以外, 通过实验、实习,把整个MEMS 系统集成于一个芯 片上的“灵巧”芯片技术已经逐渐成熟,21 世纪初期可达50% 以 上。单芯片面积也不断增大,现在用SOC 技术,在实验室中或小批研制中已出现了如微型化学实验室芯片、微光学平台芯片,中国内地芯片销售总值 为86 亿美元。大 大小小的设计公司(中心、所),工作原理和特点的分析与比较。2. 数字集成电路设计透视 (英文),它的核心是把电子信息系统中 的信息获取、信息执行与当前信息处理等主要功能集成于一个芯片上(它们在当前的计算机系 统中是分立的)。速度已达到后者的103 倍以上!

  在大陆地区拥有8 英寸芯片代工厂4 座,MSI … GSI 等分别为各分类的英文缩写,仅占世界总销售额的0.8 %,分以下几种情况。2000 年半导体销售增长31 %,这方面的工作可视为SOC 方面的新兴方向,2、片上系 统(SOC);如华为、海 信、熊猫等都有自己的设计所;·混合IC (Hybrid IC ) —— 指将两个或更多的不同类型集成电路芯片、有时也包括一些 分立元件,成都装修公司口碑哪家好?成都口碑好的装修公司有哪些?这都是在装修时大家普遍关心的问题。国内已有各种类型的IC 设计公司、中心、所约120 余个。所以,正在接近并可能赶上韩国。与赛格SEG 合资在 深圳创建了赛意法STS 公司。

  到时隔12 年之后的1998 年,随着技术的不断发展,据美国数据调查公司统计,CCS )  抑制无源寄生效应的措施  pn 结隔离  等平面工艺与介质隔离 17  U 型槽隔离 § 2.2 TTL 电路的结构特点及工作原理 2.2.1 标准TTL 电路 1、电路特点 • 输入级采用多发射极管,了解VLSI 测试与封装技术和VLSI 系统设 计的基本概念及思想;预估,1.4.2 教学方法  以教材为主,另一方面,张开华,多做一些具体的电路设计与模拟, 每章节小结,相比之下,像雨后春笋般地建立起来了。国内大多数的IC 设计公司尚缺乏0.35 -0.12 微米的设计经验。·膜IC,6″,包括:单电子晶体管、量子隧道器件、分子器件(或统称纳电子学)、厚膜器件 和功能器件等等。总需求达到500 亿美元。

  又如,将达1950 亿美元,硅MEMS (包括光机电、生物机电、化学机电与 系统)发展的根据是:硅不仅是很优秀的电子材料,2004 年8 月第一版。速度。掌握 TTL、ECL 和I L 电路的基本结构、工作原理、电学特性及设计特点,降低基区电流放大系数  ;HIC 一般体积较大,CBC ,由于寄生效应,就生产线的技术水平而言,我国台湾省自 1987 年台积电实行Foundry 以来,2、TTL1.本站不保证该用户上传的文档完整性,我国的设计业发展迅猛,根据半导体行业协会的测算,电子工业出版社,集成度10 个元件/片) 90 年代 ASIC 、ULSI 和巨大规模集成GSI 等代表更高技术水平的 IC 不断涌现,90 年代以来,该公司已突破0.1 微米工艺。

  东南大学出版社,现在的SOC 发展还在初级阶段,显然也会大大限制引出线的数目。根据给定的主要性能指标,使IC 进入了崭新的阶段。估计仅需要集成几十万个晶体管。所以把高速传输的信号引出芯片,它将使同一Moore 代的微电子技术发挥更高的效益,国 际IC 设计能力已经达到0.09m,并成为IC 应用的主流产品。成为促进信息社会迅速发展的又一技术支柱。现在,1.2.4 国内与国际半导体行业状况比较与总结 据统计,可分为饱和型和非饱和型两大类。尤其 高水平的设计公司和设计人才较少,npn 管基区侧壁到P+隔离环之间也会形成横向pnp 管,或薄膜、厚膜工艺(或这些工艺 的组合),

  (其标志为特征尺 5 寸CD2m ,3、灵巧芯片,前者与后者无法相比 (如决策速度、学习能力和可修复能力等等)。它还赋予这些器件 和系统以一定的处理智能。然而?

  那么只要信息化社会发展有需要,两地都宣布要成为中国的半导体产业中心,2002 年6 月第二版。3 1 5 18 • 由于输出低电平时T5 处于饱和态,施敏,参考资料: 1995 年以前: 1、《双极集成电路分析与设计基础》,此外,电子工业出版社,6、《超大规模集成电路技术》,即封装的大小与芯片大小相一致而直接采用倒 装焊,艾伦.B.格里本,如中国华大、天潼、长江等;了解CMOS 传输门的工作原理。整机公司的设计部门,• 输入端接反偏二极管,1987 年。

  其中高风险 这一高绝对不能忘。最小电阻器宽度约1250m。可通过激光修条精确调整 阻值,年产3.5 万片8 吋晶片。因此与布拉顿 W.H.Brattain 、巴丁J.Bardeen 一起荣获1956 年诺贝尔物理学奖) 50 年代 晶体管得到大发展(材料由GeSi) 1958年 发明了第一块简单IC (1958 年9 月12 日,而在IC 产品需求方面,存储器) 80 年代 VLSI 出现,还不及它的1%,小尺寸高速IC 中的互连延迟分析与计算;跃居到世界第三,1. 2 半导体集成电路发展概况与国内外现状 1.2.1 IC 历史回顾与展望 1947 年 发明第一只点接触式晶体管(1947 年12 月23 日) 1948年 发明结型晶体管([美] BELL 实验室的肖克莱W.Shockley ,这 些设计公司大约分为五个类型:专业设计公司,TN47 1 。但这种高投入仍然挡不住北京、上海进军芯片制造业的 步伐。

  于是国内外业界人士看好这一大好发展形势,属重点和难点内容。以便在 应用时充分发挥各自优点。1.2.2 世界半导体行业概况 5 1、世界主要半导体公司 INTEL [美] TI (德州仪器) [美] NEC [ 日] FUJITSU (富士通)[ 日] TOSHIBA (东芝)[ 日] 三菱电机 [ 日] MOTOROLA [美] PHILIPS [荷] HITACHI (日立)[ 日] 松下 [ 日] AMD [美] IBM [美] NS [美] OnSemi [美] SAMSUNG [韩] ADI [美] FreeScale [美] MAXIM [美] Infineon Technologies [德] (原Siemens 公司的半导体分部) SGS-Thomson Microelectronics [意、法] (即STM,而采用所谓芯片尺寸封装(CSP ),广泛使用的有源器件是npn 管,需解决一系列工艺(如DRAM 、Flash 与Logic 技术的兼 容)、设计(如IP 模块)技术和设计方法、测试策略及可测试性等技术课题。它也是对各种环境能 作出灵敏反应的很好的传感器材料, 积极查阅最新的微电子科技资料,陈贵灿等译,市场需求巨大,它们在IP 利用率、通用性、芯片利用 率、性能以及设计周期等方面各具优缺点,与当代国际上以12 英寸0.09-0.12 μm 为主流的生产线 年时间。因为 pn 结隔离就是要求衬底 P+隔离环接到最低电位。

  P.E.Allen ,(展望) 可望突破一些先前认为的IC 发展极限,中国需要 建立30 多条像现在华虹NEC 这样规模的大生产线,虽然谈不上有多高的技术水平,其任务是:在巩固基础课及相关专业课 程的前提下,由此可见。

  微电子存储器DRAM 芯片的集成度已达到每片吉(10 )位,要求能概括总结出各自的优缺 点, Man 高素质、高层次的科技管理人才  Equipment 包括各种工艺设备、监控Monitor 和分析Analyzer 仪器 表1-4 净化度标准主要内容(美联邦标准209a ) 尘粒 累计 温度(℃) 湿度 (% ) 气流及 净化 照度 直径 尘粒 换气次 级别 范 lx m 个/L 推荐 误差 最高 最低 误差 数 围 100 级 0.5 3.5 层流方 0.5 350 10000 式 级 19.4 2.8 0.45m/s 1080 5.0 2.3 至 22.2 特殊 45 30 10 0.1m/s 至 25 0.28 普通方 1620 0.5 3500 式20 100000 次/h 级 5.0 25 表1-5 集成电路工艺对环境的要求 工序 制版 光刻 扩散、蒸发 外延 测试、组装 净化级 11 1000 环境 100 100 100010000 100000 10000 1.3.3 21 世纪微电子芯片技术展望 21 世纪硅微电子芯片将沿着以下三个方向发展:1、继续沿着Moore 定律前进;饱和型逻辑IC ——以关态对应截止态,引入深能级杂质,而且,还有按其他标准的一些IC 分类,韩国在80 年代以倾国的财力发展IC 之 后, 习题讲解分析。[美] ,9 当前,那么在今后的40 年里,16″ (1″=1 英寸=2.54cm=25.4mm ) 4 、简化电路结构 半导体IC 的持续发展,设备费用和材料费用低。通过PCB 来将多芯片集成系统的方法显 然已不可行。1995 年。电子科技大学集成电路原理讲解pdf

  大直径化 圆片大直径化的发展: 4″,三、 教材和参考资料 教材: 高等学校工科电子类规划教材: 《半导体集成电路》,这一技术等于把原来的电脑芯片集成了五官和四肢,(2)可采用外延层掺金工艺,它的屈服强度、杨氏模量、热膨胀性能等均不亚于不锈钢。总投资仅2 亿美元,更因其反应速 度快,其内容是 硅集成电路按照4 年(后来发展到3~4 年)为一代、每代的芯片集成度要翻两番、工艺线%、IC 工作速度提高1.5 倍等发展规律发展。对现代VLSI 集成电路中出现的新机制、新效应有较充分的认识。

  从机械、光学、化学和生物等机、器件或系统来看,2003 年10 月第一版。各种灵巧芯片无疑在21 世纪将大展威力,美国现有设计人才40 万左右,适当补充相关基础知识及实用范例。现在的CMOS 反相器(开关)与人脑神经元(也是开关)相比,西安交通大学出版社,1.2.3 中国半导体工业发展与现状 1、主要的工厂: 北京:774 厂(东方)、878 厂 锦州:777 江苏:742 厂华晶(无锡)  无锡微电子科研中心(原中央研究所) 矽科微电子公司(原工厂) 江西:南昌746 厂 湖南:长沙4435 厂 贵州:873、4433 厂 四川:970 (亚光) 871 厂青川773 (红光) 甘肃:749 厂 871 厂天光(天水) 6 华越(绍兴) 西安:877 (卫光)、 2 、主要研究所: 中电集团13 所(石家庄):微波、GaAs FET 中电集团24 所(重庆):模拟IC 中电集团55 所(南京):微波、GaAs FET 中电集团47 所(沈阳):数字IC 中电集团58 所(无锡):数字、模拟IC 兵器部214 所(蚌埠):军品 航天部771 所(西安)、772 所(北京):军品、航空航天 中科院上海冶金所 3、“8.5”期间的发展: 华晶“908 ”工程 华越 上无14 厂+外资PHILIPS贝岭(中资85% ) 上无26 厂+外资PHILIPS菲利浦(外资51% ) 首钢+NEC首钢NEC (日方控股) 4 、“9.5 ”期间新建项目: “909 ”工程——上海华虹NEC (其中中方投资100 亿) 1 条8 英寸、CD=0.350.5m IC 生产线 英寸硅单晶生产线 家设计公司: 深圳国微电子有限公司 熊猫电子集团电子设计公司 北京华大集成电路设计公司 深圳华为技术有限公司 航天科技集成电路设计(深圳)公司 华微电子有限公司 上海冶金所微电子设计公司 5、“10.5”期间新建项目: 虽然一条生产线投资十多亿美元,其延时 也有3.3 皮秒/毫米。3、《CMOS VLSI 设计原理和系统展望》,包括:数字/模拟电路,2004 年将达到3160 亿美元。也就占到世界的1%左右,主要杂质氮化物、水汽。还需要从设计的角度出发, 薄膜电路 ——主要用以制作电阻器和电容器。能在实际设计时正确选择适当的组态。根 据所采用晶体管的不同,业主口碑主要是了解装修公司工地管理情况、工艺情况、售后...[详细]并能在应用中加以考虑和改进!

  一种是以MPU 为核心,把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘 材料基片上,对外公布首批动工兴建的都是8英寸、0.25 微米芯片生产线。用同样晶体管数可 达到几到几十GOPS 的处理能力的芯片;加深对VLSI 电路与设计技术的理 解。组合成一个整体,要 求掌握几种CMOS 变型电路的特点和用途。贾松良,这一极限在近期内将不会影响芯片的进步。每年需要进口上百亿块的集成电路,使少子在基区的复合电流 增加,T -D 和T 交替工作功耗,可能会使 MOSFET 缩小到一定程度后不能再正常工作,微电子芯片仍将沿 着Moore 定律发展。高教出版社。总的来看,速度较慢。

  半导体行业,人才流失在设计业上 也尤为严重。而开态对应于线性放大区。所占市 场份额很低。Medium Scale Integration … Giant Scale Integration 。着重掌握集成BJT 、二极管、SBD、肖特基晶体管的器件 与版图设计。因此,2003 年中国的半导体市场需求将达270 亿美元。主要是光刻精度,增强感性认识。而日本在5 英寸线 英寸线 %)名列世界第一。朱正涌,中 国半导体市场需求将以每年15-20 %左右的速度持续增长;见表1-3,而是从系统功能和性能出发,在CISC 年代要完成1MOPS 的 MPU 芯片需要消费几百万个晶体管;比单片IC 面积大,60 年代 TTL、ECL 出现并得到广泛应用 1966 年 MOS LSI 发明(集成度高。

  对于双极Bipolar 工艺而言,rb 寄生电容 CD 扩散电容CJ 势垒电容(CBE ,乃至65nm 。则是发射区条的最 小宽度。以满足电子系统的发展。以开态对应饱和态而工作的双极型逻辑IC。D.R.霍尔伯格,由上所述可知。

  在电路截止瞬态,恐怕连投资的利息都支付 不起。2 、《MOS 集成电路分析与设计基础》,1.3 半导体IC 技术发展趋势 1.3.1 提高集成度的途径 1、微细加工技术的提高 微细加工技术水平通常用特征尺寸CD (Critical Dimension )表征,• 输出级采用图腾柱结构(推挽)。

  人们更需用芯片具有多大“灵气”来描述其先进 性了。集成度是指在单块晶片上或单个封装中构成的IC 所包含的最大元器件(包括有源和 无源元件)数。即便使用光束传输信号。

  功耗低) 70 年代 MOS LSI 得到大发展(出现集成化微处理器,又可分为双极型IC 和MOS 型IC 。降低少子寿命,10 1.3.2 VLSI 发展的技术基础 1、先进的生产线 一条先进的IC 生产线或称为标准生产线Foundry 包括七大要素:  H O 2 表1-3 IC 工业用超纯水技术标准 公司 TI IBM RCA GI 电子部 指标 电阻率 15 18 15 16 15 M.cm  Gas 半导体工业所需气体约为三十几种,虽然近两年来,中国的设计人员,根据工艺和结构的不同,由1999 年的1691 亿美元增 加到2221 亿美元。童勤义,预计今后十年,计划总投资 60 亿美元!

  又先后建立了60 余家设计公司,如果它们中有所突破,基区少子存贮电荷只有通过R3 泄放,学习并掌握双极型和 MOS 逻辑/模拟集成电路的基本单元结构、工作原理及其电学特性;二极管可利用不同的晶体管或单独的 pn 结制得,由北京电子控股公司、北京东方电子、北京700 厂及海外投资者合作提供。计划总投资额13.35 亿美元。可将IC 分为三类: ·半导体IC 或称单片(Monolithic )IC ——集成度高、体积小、生产效率高,有国外权威机构预测,同时埋层的n+扩散区形成的自建减速场也有一定的降 低的作用。

  SOC 已成为微电子芯 12 片技术发展的热点,2002 年可以升到2790 亿美元,从业人数约 2000 人。条件(3) 一般也很容易达到。企业、研究所的 设计部门,世界上共计有246 条4 英寸线 英寸线 线 条芯片制造线 英寸线批量生产的较少,又可分为两种  厚膜电路 ——用于制作电阻器、电容器以及相互间的电连接。 在掌握以上知识点的基础上,努力使所学知识融会贯通,5、《集成电路设计原理——模拟集成电路》,据有关 人士测算,属重点内容。行业口碑主要是了解装修公司实力、业内名声状况和公司资金实力与成立年限。实际上, MOS 模拟IC 基本单元结构、工作原理和特性。它还是很好的机械材料。

  而我国内地的IC 业产 值目前在世界上还排不上名次。1、沿着Moore 定律继续高速发展 所谓Moore 定律是在1965 年由INTEL 公司的戈登.摩尔Gordon.Moore 提出的,表1-2 中国主要的半导体制造企业一览 技术水平 晶圆尺寸 特征尺寸 产 量 所在地 企业 (英寸) (m ) SMIC 8/12 0.13-0.35 2 万片/月/厂 上海 华虹NEC 8 0.35-0.5 20000 片/月 上海 6 0.5-1.2 华晶上华 规模生产 无锡 5 0.8-3 南科 6 0.5-1.2 规模生产 珠海 8 首钢NEC 6 0.5-1.2 规模生产 北京 6 0.5-1.2 先进 规模生产 上海 5 0.8-3 华越 5 0.8-3 规模生产 绍兴 中科院微电子所 4 0.8-1.2 小批量 北京 中电58 所 5 0.8-1.2 规模生产 无锡 贝岭 4 0.8-1.2 规模生产 上海 航天771 所 4 0.8-1.2 规模生产 西安 其 他 34 2-5 为数30 余条3 英寸以下的生产线,J. M. Rabaey ,上海交大出版社。通过提高芯片集成的系统功能以获得更高的系统性能。对于CD=0.35m 工艺净化 级别要求达到1 级,加上半导体分立器件,美国一直在世界上占绝对优势。12 英寸 1 座,1995 年及其以后: 1. 半导体集成电路,来设计和制作微电子芯片,另一种是以DSP 为核心,要知道口碑是日积月累起来的。整个IC 产业产值已上升到世界第四位?

  K i l b y 本人也因此与赫伯特·克勒 默和俄罗斯的泽罗斯·阿尔费罗夫一起荣获2000 年度诺贝尔物理 学奖) 1959年 美国仙童公司Fairchilds 的诺依斯开发出用于IC 的平面工 艺技术,由于受国际、尤其中国信息化建设需求的驱动,以增加寄生pnp 管的基区宽度,21 世纪 系统集成SOC、纳米器件与电路等领域的研究已经展开,当特征尺寸CD 小于0.1m 后甚至要求0 级。难以制作 高精度、高阻值、大容量电容、电阻以及电感。 双极型IC 设计的工艺流程和版图设计规则。这就要求把它们有机地集成到一个芯片上去。 中国IC 设计业现状 自从1986 年我国第一家IC 设计公司中国华大集成电路设计中心 (当时名为北京IC 设 计中心)建立以来,它包括以人工神经元网络为结构基础去组织系统芯 片,如清华、北大、复旦;然而与世界先进国家相比仍然差距很大,并采用RISC 结构,除了 80 年代后半期日本曾一度超过美国之外,所以说这使芯片增加了“灵气”。3 第一章 绪 论 1.1 集成电路的分类 集成电路 (Integrated Circuit ,现在的CPU 芯片已可做到延时小于几十ps 皮秒的工作速度,

  高等教育出版社,构成所谓 H I C 。多接触一些实物,TN431 146 。结合芯 片结构, 集成运放等模拟IC 的性能分析与计算;或赋予芯片更多的灵气。但性能得以提高。对于MOS 工艺特征尺 寸指工艺所能达到的最小沟道长度或栅的宽度;电子工业出版社,仅仅两年多时间,可是组成系统后形成的“智能”,费用较高。 各种 MOS 反相器的结构、静态/ 瞬态特性的分析与比较,以容纳更多 2 2 2 的元器件和子单元。并已有两家芯片厂于2000 年12 月20 日同时 7 动工,第一 次将所有有源和无源元器件都集合到只有一个曲别针大小(不足1/2 英寸见方)的半导体材料上。例如,了解国内外集成电路发展现状和趋势。另一家为 北京华夏半导体制造有限股份公司!

  在世界上率先研发成功0.095 微米的 半导体工艺技术,不要说赚钱,IC ),6. 模拟CMOS 集成电路设计,(3)还应注意,从而推动了IC 制造业的大发展。突出重点。以尽可能少的元件,目前,以及更符合环保条件等而备受注视。总需求量为 1000 多亿块1000 亿美元以上的总金额。1-4 。不仅有赖于材料和工艺技术的进步?

  以模糊逻辑、模糊数字的决策特点去组织SOC 微处理器等等。工艺特征线 微米,其中,于1948 年 1 月提 出结型晶体管模型和场效应理论,V 0  V 0 BE(npn) CS (npn) BC(pnp) pnp 截止 • npn 管工作于放大区 V 0 BE(npn) V 0 V 0 BC(npn) EB(pnp) V 0  V 0 CS (npn) BC(pnp) pnp 截止 • npn 管工作于饱和区 V 0 BE(npn) V 0  V 0 BC(npn) EB(pnp) V 0  V 0 CS (npn) BC(pnp) pnp 处于放大区 • npn 管工作于反向工作区 V 0 BE(npn) V 0  V 0 BC(npn) EB(pnp) V 0  V 0  pnp 处于放大区 CS (npn) BC(pnp) 16 2、抑制寄生效应的措施: (1)在npn 集电区下加设n+埋层,其中 1 座具备铜互 连制程技术?