牛牛娱乐棋牌|低压基准电压源电路的版图设计_毕业设计doc

 新闻资讯     |      2019-12-29 02:23
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  .电阻的匹配问题电阻由于工艺的问题很难做到十分的精确但是电阻相对的误差比较的小因而我们要考虑电阻间的匹配问题。严格遵守设计规则可以极大地避免由于短路、断路造成的电路失效和容差以及寄生效应引起的性能劣化。由于器件的物理特性和工艺的限制芯片上物理层的尺寸进而版图的设计必须遵守特定的规则。)原理及剖面图图PNP版图及剖面图)版图实现图PNP版图二极管设计NPN晶体管实质是由两个背靠背的PN结构成的所以我们将NPN晶体管的集电极和基极连在一起形成二极管连接。工艺流程标准双极工艺是以牺牲PNP晶体管的性能来换取更好的NPN管的性能这是由于NPN晶体管主要是电子导电PNP晶体管主要是空穴导电而电子的迁移率大约是空穴迁移率的两倍。版图设计的各种错误可以分成两类。这种器件被称为二极管连接形式的晶体管依靠晶体管的作用大部分流过晶体管的电流是从集电极流向发射极只有一小部分的电流流过基极因此基极电阻对器件的正向导通电压几乎没有影响。淀积过后我们要进行简单的推结工艺主要是实现两个目的:第一是进行退火处理激活杂质修复损伤的晶格。由于下边的微电流源导通那么QQ就会导通那么上面的镜像电流源就会导通工作从而发挥直流偏置的作用!

  电阻被制作在N型隔离岛中隔离岛接触一般接在高电位起隔离作用。尽我所知除文中已经特别注明引用的内容和致谢的地方外本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。画版图的基本操作步骤为:首先在LSW中选定相应层然后在版图编辑窗口的Create下选要画的几何形状再在可编辑区域完成绘图。刘老师是一个平易近人的人学识渊博并且刘老师在学术上十分的严谨对任何事情都要求严格尤其是在做学问上总是要我们做到完美。隔离岛中还要包含NBL来减少隔离岛电阻。单个芯片上已经可以集成数以亿计的晶体管。第四章低压基准电压源电路的版图设计电路的设计图电路生成模型图模型电路主要器件的版图设计有源器件NPN管设计下图是NPN晶体管的版图和剖面对照图。深N扩散(侧阱)提供了到NBL的低阻连接高浓度的磷淀积之后高温推结形成N阱推结不仅使N扩散向下推进并与向上扩散的NBL相连接而且还完成了隔离推结。lateralPNPtransistors。

  优化布局连线连线的优劣会影响到设计精度和速度。双极型的集成电路工艺按其所采用的隔离类型可分为以下两类一类是采用介质隔离也即在器件之间制备PN结作电隔离区一类采用自然隔离。我们设计的一般步骤大概有如下几步:画schematics(电路)、画相应的layout(版图)、进行版图设计规则检查(DRC)、做电路与版图的一致性检查(LVS)导出最终版图的gds文件。LPNP’semitterandcollector,同时我们要掌握软件的快捷键这样我们就能够很快的操作软件。学位论文作者(本人签名):年月日学位论文出版授权书本人及导师完全同意《中国博士学位论文全文数据库出版章程》、《中国优秀硕士学位论文全文数据库出版章程》(以下简称“章程”)愿意将本人的学位论文提交“中国学术期刊(光盘版)电子杂志社”在《中国博士学位论文全文数据库》、《中国优秀硕士学位论文全文数据库》中全文发表和以电子、网络形式公开出版并同意编入CNKI《中国知识资源总库》在《中国博硕士学位论文评价数据库》中使用和在互联网上传播同意按“章程”规定享受相关权益。)原理及剖面图图二极管版图及剖面图)版图实现图二极管版图无源器件设计电阻设计电阻是电路的基本器件,衬底的掺杂浓度较低可以减少集电极的结电容提高集电结的击穿电压但是掺杂浓度过低会使埋层推进太多而选用()晶向的硅晶片衬底有助于抑制双极工艺产生的寄生PMOS管。)原理及剖面图图NNP版图及剖面图)版图实现图NPN版图PNP管设计下图是横向PNP的版图和剖面图的对照图。尽我所知除文中特别加以标注和致谢的地方外不包含其他人或组织已经发表或公布过的研究成果也不包含我为获得及其它教育机构的学位或学历而使用过的材料。thePBLisrequiredunderisolation,图版图验证版图验证概述在IC设计中,我刚开始的时候不注意备份当我完成设计的时候没有在管他但是当我再次打开电脑的时候却找不到了估计是被人误删了。初步设计的版图有很多的错误和不足我们要进DRC验证以检查其中的设计错误。使用这些技巧可以减少芯片面积提高电路性能降低生产成本。第一类是违反几何设计规则的错误。

  并且要外加加NBL来抑制寄生的衬底PNP管的作用。NPN管的集电区由N型外延隔离岛组成基区和发射区是由依次进行不同的掺杂形成的。按照以上隔离区的划分规则对电路进行分析我们可以一共划分个隔离区:Q、QQ、QQQR、R、R、RR、RR、RD、DC、CQQRR。pinchedBASEresistorsandPMLresistorsaMinimumwidthofNBLbMinimumoverlayfromNBLtoBASE附图BuriedP(PBL)ThismaskdefinestheBuriedPlayer,首先我要由衷的感谢我的毕业设计导师刘树林教授!下图显示了一个采用电阻率为ρ形状为矩形厚片的电阻材料的长度为L宽度为W厚度为t,我还要感谢我亲爱的室友们他们给了我很多支持和帮助。本次毕业设计大概持续了半年现在终于到结尾了。

  我们要尽量优化布局减少连线的长度.连线电阻也要引起注意。隔离区的划分Tl电路一共有个晶体管、个电阻、个二极管、二个电容。TL的内部含有一个.V的基准电压所以当在REF端引入输出反馈时器件可以通过从阴极到阳极很宽范围的分流控制输出电压。图去除氧化层)外延淀积。本次设计我们采用的是XiYueumVBipolarDesignRule具体的设计规则见附录A。作者签名:二〇一〇年九月二十日 毕业设计(论文)使用授权声明本人完全了解滨州学院关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定。所以采用若干个小电阻的串联得到比较大电阻。

  对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式注明并表示感谢。Cadence是CADENCE公司生产的集成电路设计软件的总称是个大型的EDA软件EDA是电子设计自动化(ElectronicDesignAutomation)的缩写,VPNP’semitteraMinimumwidthofBASEbMinimumspacefromBASEtoBASEwithLPNP=V=VcMinimumspacefromBASEtoBASEwithoutLPNPdMinimumspacefromBASEtoISO=V=V=VeMinimumspacefromBASEtoSINK=V=V=VfMinimumdistancefromBASEtooppositeedgeofNBL附图Implantresistor(RES)ThismaskdefinetheimplantresistoraMinimumwidthofRESbMinimumspacefromREStoREScMinimumspacefromREStoBASEdMinimumoverlayofRESandBASEatresistorEMITandEMITcMinimumdistancefromEMITtoBASE=V=VdMinimumdistancefromEMITtoISO=V=V=VeMinimumextensionofEMITbeyondBASEfMinimumextensionofBASEbeyondEMITgMinimumdistancefromEMITtoRESBASE附图Capacitor(CAP)ThismaskdefinetheMOScapacitorwindowaMinimumwidthofCAPbEMITencloseCAP附图Contact(CON)Thismaskdefinetheareaswhereallcontactofbase,三个引脚分别为:阴极(CATHE)、阳极(ANODE)和参考端(REF)。违反某些具体设计规则可使电路性能改进的可能性也越大这种改进可能是以牺牲成品率为代价的。编辑完之后改正错误。现在的集成电路早已经发展到超大的规模尽管CMOS工艺发展迅速双极型集成电路仍然在高速、模拟、功率等类型的模拟电路和数模混合集成电路中占有很重要的地位。

  版图设计,基区扩散底部和NBL顶部间的距离决定了NPN晶体管的最大工作电压。集成电阻的阻值由L与W的比值确定长和宽相等的电阻包含一个方块。.内嵌最小距离(IntersectedInternal).最小露头尺寸(IntersectedOuter).边长和面积等。这期间凝聚了很多人的心血在此我表示由衷的感谢。其方块电阻的典型值一般是~Ω□,在设计之初我们要尽可能的搜集资料了解我们即将设计的内容并做好前期的规划并收集其他人的研究成果和形影的经验从而可以少走很多弯路避免很多的错误。.一层金属布线因为本次设计的低压基准电压源电路器件比较少为了降低正个生产的成本减少掩膜的数量故仅采用一层金属进行模块之间的连接。本次设计电容的典型值是1.5fFum2.)原理及剖面图图4电容版图及剖面图)版图实现图4电容版图PAD设计图4PAD版图版图布局设计版图布局分析集成电路版图设计布局时需注意引出端分布是否便于使用或与其他相关电路兼容是否符合管壳引出线排列要求布局要紧凑以节约芯片面积尽可能将各单元设计成方形还要考虑到热场对器件工作的影响应注意电路温度分布是否合理。关旭东硅集成电路工艺基础北京大学出版社年月附录.附录AXiYueumVBipolarDesgnRuleMasksequence附图LayoutrulesThismaskdefinestheburiedNlayer,因而进行版图设计的时候要进行全定制的设计。减线法在芯片面积较大的版图上对于单层金属或双层金属布线的工艺几乎一半以上的芯片面积用于信号连接因此减少布线对于减少芯片面积有着很重要的意义。(保密论文在解密后遵守此规定) 作者签名:二〇一〇年九月二十日致谢时间飞逝大学的学习生活很快就要过去在这四年的学习生活中收获了很多而这些成绩的取得是和一直关心帮助我的人分不开的。在实际电路的制作过程中会产生寄生参数:寄生电容寄生电感和寄生电阻。

  低压基准电压源版图设计具有非常有意义。数万用户每天上传大量最新资料,学友情深情同兄妹。版图的DRC验证基本的DRC规则尽管不同工具的DRC规则书写方式不同但它们都可以归纳为几类共同的规则常见的几何设计规则有以下几类:最小线条宽度(Width).最小间距(Space)包括同层和异层之间的距离。镜像电流源之中的电阻R、R晶体管R、R要保持对称布局:图版图实现当布局完成后就剩下布线即金属化对于金属连线因为本低压基准电压源芯片的器件比较少为了减少成本即减少掩膜版数量所以我们仅采用第一层金属。本次设计采用工艺的基区电阻的典型值是170ohmsq。芯片上电源总线和地线的设计也要注意很多问题。极电路的有源元件有二极管、NPN管、横向PNP管等。微电流源的输出电流为,所以我们通过优化NPN晶体管的性能来提高整个电路的性能。就是在刘老师的严格要求下和热心的指导关怀下我才能很好地完成本次毕业设计。

  本次工艺我们使用第六张掩膜版:接触掩膜版图形成接触)金属淀积淀积一层铜铝合金作为金属连接层该金属系中通常包含的硅以抑制发射区穿通包含的铜来改善电迁移特性。TL的封装之后有三个引脚分别为:阴极(CATHE)、阳极(ANODE)和参考端(REF)。如果以时钟边沿确定一个采样点弥散就会带来特别麻烦的问题。从这里走出对我的人生来说将是踏上一个新的征程要把所学的知识应用到实际工作中去。后端数据接口处理确认芯片版图的设计和尺寸落实相关foundry流片计划确认设计数据(GDSII文件)大小。本次工艺我们使用第五张掩膜版:发射区掩膜版图发射区扩散)氧化图氧化)接触淀积一层二氧化硅光刻并干法刻出接触孔该孔用来引出电极。最后我要特别感谢我的导师赵达睿老师、和研究生助教熊伟丽老师。模拟电路设计方法模拟集成电路速度比较快但是功耗较大集成度比较低。其中建立了单独的器件单元的版图包括NPN晶体管、PNP晶体管、二极管、基区电阻、发射区电阻、HSR电阻、电容等器件?

  那么b点的电压也就很稳定进而参考点的电压Vref也就稳定在V。所以R=R□LW其中R□表示一个正方形材料的薄层电阻,版图检查。在此请允许我对两位老师的热情帮助表示我深深的敬意和衷心的感谢。)原理及剖面图图HSR电阻版图及剖面图)版图实现图HSR版图电容设计MOS晶体管可以用来做电容。BASEresistors,TL是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准电压源?当我们子模块间的布线完成后我们在尽一切可能减小压缩芯片的面积从而降低芯片面积。

  本次工艺我们使用第二张掩膜版:隔离掩膜版图隔离区形成)深N扩散在形成隔离区域后进行深集电极接触的制备这里的“深”指集电极接触深入到了N型外延层的内部。在这里向我的各位老师各位同学表示我由衷的谢意!如不同元件的接地部分和接电源部分是公共部分可以将不同元件的这部分合并在一起减少芯片尺寸。版图设计经验技巧总结本次低压基准电压源电路的版图设计即TL431电路的版图设计在保证面积和规则正确的前提下采用了一系列的手段对版图进行了优化设计从而保证整个版图设计的最优。该LSW窗口定义了版图各层的作用。首先非常感谢学校开设这个课题为本人日后从事计算机方面的工作提供了经验奠定了基础。

  版图设计的优劣直接影响电路生成的芯片的成品率及可靠性。电容的介质层是由一层薄氧化物构成的这层薄膜氧化物是通过特殊的掩膜步骤控制腐蚀和再生长的过程实现的。大规模集成,科学出版社AlanHastings模拟版图艺术电子工业出版社年月美ChristopherSaint著李伟华译.集成电路版图基础.清华大学出版社王志功主编.集成电路设计与九天EDA工具应用.东南大学出版社刘树林张华曹柴常春编著.半导体器件物理.电子工业出版社美塞因特(SaintC)集成电路版图设计,()保持器件方向一致如果器件放置方向相同就可以尽量避免由于在光刻及原片加工的许多步骤中沿不同轴向的特性大小不一而造成的失配。制定设计规则的主要目的是为了在制造时能用最小的硅片面积达到较高的成品率和电路可靠性。与此同时我还要感谢赵凯王磊张磊等同学的帮助与鼓励。图金属淀积)反刻铝光刻并刻出连线层金属本次工艺我们使用第七张掩膜版:金属掩膜版图反刻铝最后我们在整个晶片上淀积一层厚的保护层(PO)可压缩的氮化物保护膜提供了优良的机械和化学保护。衬底制备初始材料选用衬底采用轻掺杂的P型硅掺杂浓度一般在cm数量级采用的硅晶片晶面的晶向指数为()方向接着在硅晶片上生长一层二氧化硅氧化物薄膜。()增加虚拟器件两个器件的对称轴两边保持相同环境很重要如果两边不同可在另一边加入与对边相同的虚拟器件来实现对称性提高匹配。无源元件匹配()电阻匹配对于大数值的电阻通常将其分为较短的电阻单元平行放置并串联起来。基准电压源的性能直接影响到整个系统的精度和性能。

  图layout窗口主要编辑快捷键Undo-取消对应快捷键:uRedo-恢复UMove-移动mCopy-复制cStretch-拉伸sDelete-删除delMerge-合并M.主要创建命令Rectangle-矩形对应快捷键:rPolygon-多边形PPath-互联pLabel-标签lInstance-例元iContact-通孔oLWS视图的功能如下可选择所形所在的层可选择哪些层可供编辑可选择哪些层可以看到。除了文中特别加以标注引用的内容外本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。版图修改。作为非常强大地EDA设计工具Cadence可以完成系统级设计功能验证IC综合及布局布线模拟、混合信号及射频IC设计全定制集成电路设计,并进一步的优化布线结果。隔离区的划分原则隔离区划分的原则是:NPN管集电极电位相同的可以放在同一个隔离区PNP管基极电位相同的可以放在同一个隔离区NPN管的集电极电位和PNP管基极电位相同可以放在同一个隔离区电阻工艺相同的可以放在同一个隔离区电容面积较大可以灵活放置二极管工艺相同可以放在通过一个隔离区。寄生与仿真。将隔离岛连接到电阻上的最高点电位可以保证隔离。由于TL控制精度高温度系数很小输出杂波低所以被广泛应用于DVD、电脑显示器、彩色电视机卫星接收机等高精度开关型稳压源电路中。我们采用标准双极工艺制作MOS电容其下极板通过发射扩散区实现中间一层介质层来做电容上下极板间的隔离介质。

  欢迎各位教师下载使用。布线集成电路中主要用铜铝合金作为连线通常是以一种作水平方向布线另一种作垂直方向的布线。suspensioncollectPNPtransistoraMinimumwidthPBLbMinimumwidthPBLalongtheScribelinecMinimumspacefromPBLtoPBLdMinimumspacefromPBLtoNBL=V=V附图DeepN(SINK)ThismaskdefinesthedeepNplugtoensuresufficientlylowcollectorseriesresistancesaMinimumwidthofSINKbMinimumdistancefromSINKtooppositeedgeofNBLcMinimumspacefromSINKtoSINKdMinimumspacefromSINKtoPBL=V=V=V=V=V附图UpperIsolation(ISO)Thismaskdefinetheupperisolationlayer,集成电阻通常有扩散或者淀积形成因此当工艺决定之后其ρt值恒定。长导线的分布电阻和分布电容也会引起信号的延迟与弥散。因此,电路基本结构图电路标准双极工艺双极集成电路就是以双极型晶体管作为有源元件的集成电路双极型集成电路工艺是所有集成电路工艺中最早被发明的。因而对于如此规模的集成电路的版图设计是一项浩大工程对于复杂的集成电路的版图设计,我们一般按以下步骤进行设计:模块的划分!

  我们汲取这些经验可以让我们设计过程更加的顺畅。第二类是指版图与原理图一致性比较的错误。没有他们的帮助我将无法顺利完成这次设计。本人授权大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。在我的十几年求学历程里离不开父母的鼓励和支持是他们辛勤的劳作无私的付出为我创造良好的学习条件我才能顺利完成完成学业感激他们一直以来对我的抚养与培育。他们设计的过程中给了我很多指导。

  模拟电路中通常包含很多的电阻。回首四年取得了些许成绩生活中有快乐也有艰辛。我们在设计过程中尽量避免画过大的电阻因为大电阻误差比较大十分的浪费面积。到现在的超大规模集成。横向PNP管的集电区和发射区都是由扩散进入N性隔离岛上的基区扩散形成的。设计的版图元件包括NPN、PNP、二极管、电阻、电容。对本研究提供过帮助和做出过贡献的个人或集体均已在文中作了明确的说明并表示了谢意。本次毕业设计是对我大学四年学习下来最好的检验。DRC)?

  本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。()共中心对于较大的晶体管不好实现对称但可尽量实现中心对称也可以提高匹配率。接着完成子模块间的连接线,集成电路中的基本元件分为有源元件和无源元件无源元件主要包括电阻、电容和电感。版图设计流程集成电路从年代开始,合并公共区域一个较好的版图不是每个元件都相互独立而是尽可能地将各个元件的公共区域合并在一起。横向PNP晶体管中的工作区出现在水平方向上载流子从中心的发射区向周围的集电区运动。.元件的合并我们设计的时候要很好地考虑器件之间隔离岛的合并NPN管集电极电位相同的可以放在同一个隔离区PNP管基极电位相同的可以放在同一个隔离区NPN管的集电极电位和PNP管基极电位相同可以放在同一个隔离区电阻工艺相同的可以放在同一个隔离区电容面积较大可以灵活放置二极管工艺相同可以放在通过一个隔离区。器件对程设计对称是为了匹配它是模拟电路版图设计中的重要技巧之一对称包括器件对称布局布线对称等。郭谦功老师渊博的知识、严谨的作风和诲人不倦的态度给我留下了深刻的印象?

  然后在TechnologyLibraryName中输入工艺库的名字我们使用的是西岳工艺库文件然后建立单元文件(cell)在LibraryName中选择存放新文件的库在CellName中输入名称然后在在Tool项选ComposerSchematic编辑电原理图选择Virtuoso编辑版图。作者签名:日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版允许论文被查阅和借阅。最后我要感谢所有在我论文完成过程中给予了帮助和关心的朋友们。简介:本文档为《低压基准电压源电路的版图设计_毕业设计doc》,集电区由重掺杂的NBL之上的轻掺杂的N型外延层构成轻掺杂的外延层可以形成宽的集电结耗尽区。在集成电路掩模制造过程中由于制造设备等的分辨能力的限制,这些规则通常规定芯片上诸如金属和多晶硅的互连或扩散区等物理现象的最小允许线宽、最小特征尺寸以及最小允许间隔。从而提高其精度。所以尽管双极集成电路有集成度低功耗大的缺点但是双极性集成电路仍然在高速、模拟、功率等类型的电路中占有很非常重要的地位。请按照平台侵权处理要求书面通知爱问!供教师备课教学使用。JudySaint,清华大学出版社。Library部分有Name和Directory两项分别输入我们要建立的Library的名称和路径。关键词cadence软件,再次请允许我对刘老师表示我深深的敬意和衷心的感谢。登录成功!

  涵盖语文课件、数学课件、英语课件等各方面资源,同时王媛媛老师给我很多Cadence软件使用方面的指导让我掌握了Cadence中很多版图设计的技能和版图设计的知识使我能完成毕业设计。根据上式得出只要电阻保持恒定不变则输出电流就会很稳定(因为是由三极管的内部结构参数决定与晶体管的饱和电流有关)。一般来讲设计规则反映了性能和成品率之间可能的最好的折衷。集成电路版图掩膜设计,本次设计的版图顺利通过DRC和LVS验证表明本版图设计符合要求。请先进入【个人中心】-【账号管理】-【设置密码】完成设置爱问共享资料高等教育频道提供低压基准电压源电路的版图设计_毕业设计.doc文档免费下载!

  老师们认真负责的工作态度严谨的治学精神和深厚的理论水平都使我收益匪浅。本次设计顺利的通过了验证符合设计规范和要求。如图所示。所以当我再一次的完成设计的时候我就吸取这个教训对每一个完成的部分进行备份。图衬底准备)隐埋层光刻首先在衬底上生长的一层二氧化硅上进行一次光刻刻蚀出埋层区域。采用介质隔离制作的双极型集成电路主要是TTL(晶体管晶体管逻辑)电路而IL(集成注入逻辑)的电路则是采用自然隔离的双极型工艺。尽我所知除文中已经注明引用的内容外本设计(论文)不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。suspensioncollectPNPtransistor,电路基本原理电路工作原理分析:当外界电压加在阴极的时候则Q导通那么接下来点处就会产生电压使得Q和Q导通于是微电流源开始工作。载流子从发射区发射再然后穿过基区进入集电区被收集。andthenthroughthecorrespondingprocessmanufacturingtothepracticalapplicationoftheintegratedcircuitchipThelayoutwilldirectlyaffecttheyieldandreliabilityofthechipsgeneratedbythecircuitAndthereferencevoltagesourceintheICcanmaint被广泛采用。为此对每个工艺线都会制定相应的几何设计规则如果违反这些规则就会导致芯片无功能或成品率下降。版图面积压缩。我们在此过程中使用第一张掩膜版:NBL掩膜版并进行第一次光刻。标准双极工艺的基本制造流程一共由以下个掩膜工艺构成。contactareaforISO,离子注入可以精确控制基区掺杂因此可以尽可能减少工艺引起的β值的变化接下来退火修复注入损伤并确定基区结深。本次工艺我们使用第三张掩膜版:N掩膜版)基区扩散先进行第四次光刻刻蚀出基区然后注入低浓度硼使N型外延层反型并退火使其扩散形成基区。感谢老师四年来对我孜孜不倦的教诲对我成长的关心和爱护。用砷或锑是因为这些元素较低的扩散系数抑制了后续工艺中出现的向上扩散现象!

  作者签名:日期:​​​​​​​​​​​​学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。在进行方案的设计过程中我们要尽可能多的听取老师其他同学的意见。但对于小规模的电路我们要尽量只使用一层金属布线这样就可以少许多的工艺步骤从而降低成本.利用EDA工具提高设计速度对于电路中大量重复的单元可以将它们的版图精心设计好并放入库中保存在需要时随时调用无论对称、旋转、平移都可以用来组成新单元达到节省建立版图时间和减少错误的目的。.版图对称技术在画PNP晶体管组成镜像电流源电路版图的时候保证其版图的对称这样来减少对将镜像流源电路性能产生影响。其次我还要特别感谢杨波老师和王媛媛老师在毕业设计中杨波老师百忙之中抽空帮我在实验室工作站上开设新的用户并且给了我很多专业知识上的指导是我获益匪浅。版图检查主要包括三个部分:)DRC(DesignRulesChecker)。当我们完成版图的设计工作之后在生成最终生产用的的图形之前我们要进行DRC检查设计过程的违反设计规则的错误当运行DRC时候程序就会按照我们给定的设计规则检查设计错误当程序发现错误时会在错误的地方做出标记高亮显示。本次毕业设计他热心的给了我指导。由于多晶硅与扩散区构成的电容器结构简单尽管它的线性度比其他两种低这种结构在当今模拟电路工艺中仍然使用的比较广泛。涉密论文按学校规定处理。相应的检查工具称为设计规则检查工具(DesignRuleCheck,图第五章总结设计历程转眼间不知不觉已经到了六月份经过几个月的奋斗毕业设计渐渐进入尾声。虽然还有许多的不足之处但是通过本次毕业设计我收获了了很多的东西不仅仅有知识还有老师谆谆的教诲同学间一块奋斗的友谊。弹出一个细长型的LSW窗口,近1000个优质教学课件,NPN管共集电极集成Q、Q图PNP管共基极集成Q、Q图基区电阻集成图发射区电阻集成图离子注入电阻集成图二极管集成图电容集成图原件图形及尺寸设计通过对电路的进一步分析我们根据流过每个器件的电流以及元器件的电流容量、耐压、频率特性等各方面的要求来设计具体器件的图形和尺寸。图schematics窗口版图(layout)设计界面简介:版图编辑是打开Vituoso编辑窗口,论文密级:□公开□保密(年月至年月)(保密的学位论文在解密后应遵守此协议)作者签名:导师签名:年月日年月日独创声明本人郑重声明:所呈交的毕业设计(论文)是本人在指导老师的指导下独立进行研究工作所取得的成果成果不存在知识产权争议。电路一共有个晶体管个NPN管、个PNP管、个电阻、个二极管、个电容布局布线布局布线对电路的成品率和可靠性影响很大直接关系到电路的性能其总的原则是:元件排列紧凑减少寄生效应的影响有利于提高成品率尽量保证要求对称的晶体管的图形要十分一致并且位置也要尽量靠近以减少由于材料工艺及温度不均匀造成的影响。在大的集成电路设计中沿电源总线的直流或瞬态电压降可能会很大因而影响由同一个电源总线供电的敏感电路正常工作。

  在版图设计过程中可能出现电路连接性错误和电学性能上的错误如短路、开路、悬空端和孤立节点、逻辑功能不正确、电路参数不正确等。电容制作过程中不用加NBL因为不加NBL可以进一步降低发射极板和隔离区之间的寄生电容。我们制作埋层的目的是为了减小集电区的串联电阻并减小寄生PNP管的影响。用湿法刻蚀全部二氧化硅之后然后外延一层轻掺杂为减少结电容提高击穿电压降低后续工艺过程中的扩散效应电阻率应尽量高一些但为了降低集电区串联电阻又希望它小一些图外延淀积)隔离区形成先生长一层二氧化硅然后进行二次光刻刻蚀出隔离区接着预淀积硼(或者采用离子注入)并退火使杂质推进到一定距离形成P型隔离区。版图验证的重要性也更加凸显出来。

  从他身上我学到了许多能受益终生的东西。本次工艺我们使用第八层掩膜版:PO掩膜版设计规则用特定工艺制造电路的物理掩膜版图都必须遵循一系列几何图形排列的规则这些规则称为版图设计规则。隔离岛作为晶体管的基区。EMITresistorsembeddedinBASE,VIP全免费,基区电阻是由N型隔离岛上的基区扩散形成的且连接后可以使的基区和外延层反偏。小学语文_数学_英语最新教学课件大汇总。

  现就本次设计做一总结。因为双极集成电路速度快且具有很大的灵活性并且硅双极技术在一系列数字和模拟应用中依然起着相当大的作用。cadence是具有强大功能的集成电路设计系统。并且版图模块的划分可以更好地为每个子模块和整个芯片选择一个合理的的优化布图方案。版图设计完成后的下一个步骤就是版图验证版图验证的任务是检查版图中可能存在的错误。图埋层光刻)N型埋层扩散然后我们在光刻出的窗口进行掺杂用离子注入或热淀积使N型杂质进入晶片通常使用含砷或锑的杂质形成N型埋层。)ERC(ElectricalRulesChecker)ERC是用来检查连线是否短路线路开路以及floating结点。本次设计的主要目的是熟练使用cadence版图设计软件熟悉电路知识和版图设计规则掌握基本元器件的内部结构及版图画法学会布局布线及其优化从而掌握版图设计方法。作者签名:日期:​​​​​​​​​​​​指导教师签名:日期:使用授权说明本人完全了解大学关于收集、保存、使用毕业设计(论文)的规定即:按照学校要求提交毕业设计(论文)的印刷本和电子版本学校有权保存毕业设计(论文)的印刷本和电子版并提供目录检索与阅览服务学校可以采用影印、缩印、数字化或其它复制手段保存论文在不以赢利为目的前提下学校可以公布论文的部分或全部内容。当我们进行模拟集成电路版图设计的时候我们主要要解决电路性能、匹配、速度等问题。设计规则并不是区分错误设计和正确设计的分界线。substratecurrentfreediode)itsisallowedtoapplyPBLwithoutISOaboveaMinimumwidthofISObMinimumwidthofISOwhichalongthescribelinecMinimumspacefromISOtoISOdMinimumspacefromISOtoNBL=V=V=VeMinimumspacefromISOtoSINK=V=V=V=V=V附图Pplug(PP)ThismaskdefineborondiffusewindowforemitterofimplantwindowforbaseofNPN,TLSubject:TheLayoutDesignofLowvoltagereferencevoltagesourcecircuiSpecialty:MicroelectronicsName:YuanXiaoWei(Signature)____Instructor:LiuShuLin(Signature)____AbstractTheIClayoutisinthemiddleofanessentiallinkbetweentheICsystemandintegratedcircuittechnologyIClayoutdesignisadesignschematicintoforuseinintegratedcircuitmanufacturingphotolithographymasks,更重要的是线间电容导致了显著的信号耦合。弥散是指信号沿导线传输时其跃变时间明显增加。

  标准双极工艺为了降低互联线阻抗和防止电迁移现象的发生会使用相对较厚的金属化层。本人愿意按照学校要求提交学位论文的印刷本和电子版同意学校保存学位论文的印刷本和电子版或采用影印、数字化或其它复制手段保存设计(论文)同意学校在不以营利为目的的前提下建立目录检索与阅览服务系统公布设计(论文)的部分或全部内容允许他人依法合理使用。随着IC的高集成化和复杂化,对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。上级板(金属)介质层下级板(发射扩散区)隔离岛接触R1R2隔离岛接触R1R2R1R2隔离岛接触阴极阳极集电极发射极基极集电极发射极基刘老师的敬业精神给我留下了非常深刻的印象正是由于刘老师的精心教导我通过这次毕业设计收获很多东西!因此用来制作比较小的电阻。数量累计超一个亿!采用的是XiYueumVBipolarDesignRule。)原理及剖面图图基区电阻版图及剖面图)版图实现图基区版图发射区电阻设计发射区电阻是由隔离岛内被基区扩散隔离的发射区扩散形成的。首先我要特别感谢我的知道郭谦功老师对我的悉心指导在我的论文书写及设计过程中给了我大量的帮助和指导为我理清了设计思路和操作方法并对我所做的课题提出了有效的改进方案。但是相对误差比较小匹配的电阻之间一致性比较好。参考文献美ChristopherSaint著周润德译.集成电路掩模设计.清华大学出版社朱正涌编著.半导体集成电路.清华大学出版社黑斯廷斯编著张为译.模拟电路版图的艺术.电子工业出版社洪志良著《模拟集成电路分析与设计》M,老师的教诲是我们宝贵的财富将使我们一生受用。

  几个周的劳动成果就这样不翼而飞了。第二是在硅表面生长少量的具有轻微不连续的氧化层。下面以NPN为例。但是对电阻来说虽然集成电阻的误差较大,为降低集电极串联电阻需要制备重掺杂的N型接触进行第三次光刻刻蚀出集电极再注入(或扩散)磷并退火。

  历经了小规模集成,本文基于Cadence软件版图设计平台,高薄层注入由浅的轻掺杂P型注入形成。本次工艺我们使用第四张掩膜:基区掩膜版图基区扩散)发射区扩散在基区上生长一层氧化物进行第五次光刻刻蚀出发射区并进行高浓度的磷或砷注入(或扩散)并退火形成发射区。最后我要感谢我的父母对我的关系和理解如果没有他们在我的学习生涯中的无私奉献和默默支持我将无法顺利完成今天的学业。)LVS(LayoutVersusSchematic)当我们运行LVS查错时候程序会比较IC版图和原理图从而生成报告报告版图连接和原理图的不一致并进行修改直到版图与电路图完全一致为止。当我初步完成设计之后对其进一步优化非常重要。如需使用密码登录,刘老师一般在校本部办但是他每周都会在百忙之中抽空指导我们的毕业设计。而且为保证电路的长期可靠性电迁移现象要求总线要有较小的宽度。致谢时光飞逝转眼间我们的大学生活即将逝去经过几个月辛苦努力毕业设计即将完成在此我衷心的感谢所有指导、关心和帮助我的老师、同学和朋友。要求版图的几何图形满足一定的尺寸要求。.模块化设计将电路进行分模块设计分别进行DRC验证然后在整体布线从而降低修改查错的难度?

  ()电容匹配高密度电容器的制作可以采用以下结构:多晶硅覆盖扩散区、多晶硅覆盖多晶硅或金属覆盖多晶硅它们均作为电容器的两个极板并在它们之间生长较薄的氧化层。而且还要有一套切实可行的实施计划并且我们要预估方案的可行性及早做出对策。简单说来就是将两个器件的周围环境设计一致重要的匹配规则如下:()把匹配器件相互靠近放置如果把要求匹配的器件相互靠近放置无论衬底材料的均匀性掩模板的质量及芯片加工对他们的影响都可以认为是相同的。其总部位于美国加州圣何塞(SanJose)。)原理及剖面图图发射区电阻及剖面图)版图实现图发射区电阻版图ImplantResister设计高阻值薄层电阻(HSR)其方块电阻值~kΩ□,Cadence软件使用说明首先我们要进入系统操作平台打开Cadence软件进入版图界面的命令为:cd用户名icfb然后出现CIW窗口,图埋层注入)用湿法刻去全部二氧化硅去除多余的氧化层。第三章设计方案设计平台Cadence软件简介CadenceDesignSystemsInc是全球最大的电子设计技术(ElectronicDesignTechnologies)、程序方案服务和设计服务供应商。

  简单介绍标准双极工艺NPN晶体管形成过程。NBL中高浓度的施主杂质有效地阻止了集电结耗尽区向下扩展。图CIW窗口接着建立库(library):窗口分为Library和TechnologyFile两部分。摘要集成电路版图是集成电路系统与集成电路工艺之间的中间重要环节集成电路版图设计是指把一张经过设计的电路图转变为用于集成电路制造的光刻掩膜版图形再经过相应的工艺加工制造出能够实际应用的集成电路芯片。这将我以后在人生的职业路上一笔非常宝贵的财富和人生经历。从匹配和可重复性的角度讲这种结构比“蛇形”结构要有月的多因为后者在拐角处的电阻较大。本次设计我们采用cadence软件设计平台基于XiYueumVBipolarDesignRule设计规则对于低压基准电压源电路进行了版图设计与验证。中规模集成。

  开拓了我的视野增加了我的知识。ERC检查短路错误后会将错误提示局限在最短的连接通路上。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体均已在文中以明确方式标明。不同的材料的精度和温度特性会有较大的区别电路设计者和版图设计者通常需要为每个电阻选择合适的材料。.良好地版图单元布局版图设计的时候首先要做的的是规划一个比较好的布局好的布局可以为后续的设计减少很多不必要的麻烦。TheISOcollectPNPtransistor。

  通过提供从隔离岛到电源的比较的的电阻通路NBL还可以减少在同一个隔离岛中的点组建的噪声耦合。如果没有NBL基区扩散会更深从而会增大电阻。发射区电阻必须放在合适的隔离岛内通常将发射区电阻制作在基区扩散内。IC物理验证PCB设计和硬件仿真建模。孔内溅射金属形成欧姆接触。图lsw窗口低压基准电压源电路TL电路简介TL电路作为经典的模拟电路TL电路自从问世以来凭借优越的性能成熟的技术简单的结构被大规模生产和应用。在版图验证工具中有时会提到ERC(ElectronicRuleCheck)检查一般来讲ERC并不是一个单独的工具它往往嵌在LVS工具中因此在本文中版图验证工具的描述以DRC和LVS为核心内容ERC的内容将在LVS中体现。不仅仅让我学到了很多的专业知识还让我学到了很多做人的道理。当我们确定L与W比值就可以得到我们想要的阻值。

  同时我们要不断地调整整个版图的布局来优化整个金属连线以确保整个布线的准确和最优。埋层材料选择标准是杂质在硅中的固溶度要大以降低集电区的串联电阻在高温下杂质在硅中的扩散系数要小以减少制作外延层时的杂质扩散效应杂质元素与硅衬底的晶格匹配要好以减小应力最好是采用砷。并且模拟电路一般没有固定的规律设计比较灵活。再次对周巍老师表示衷心的感谢。此时的工作主要包括检查Label是否正确label所选的layer是否正确PowerGround连接是否有问题得到的files是否确实可靠检查netlist中器件类型的命名是否规范等。本次设计采用工艺的薄层电阻的典型值为kΩ□。经过这次毕业设计我的能力有了很大的提高比如操作能力、分析问题的能力、合作精神、严谨的工作作风等方方面面都有很大的进步。最重要的一点是要注意随时的对自己已经完成的东西进行备份。

  二极管连接形式的晶体管中通常包含NBL以减少集电极串联电阻。然后我们进入相应的界面进行设计。体电阻包含高薄层注入电阻两端的小面积基区扩散保证了欧姆接触。集成电路设计技巧最后介绍一下在集成电路版图设计中常常用到的一些技巧。从而经量减少版图面积。大部分工艺中提供了多种不同的电阻材料以供选择有些材料适合制作高阻值电阻有些材料适合制作低阻值电阻。是他们在我毕业的最后关头给了我们巨大的帮助与鼓励给了我很多解决问题的思路在此表示衷心的感激。而集成电路中的基准电压源可以在温度和电压不断变化的环境中保持相对稳定的参考电压,现在的集成电路的制造采用的仍然是平面工艺这也就是说所有的元器件都是平面工艺所有的电极都是在一个平面上这与分离元件有所不同。然后我们对各个子模块的面积进行调整已达到面积最优。基区电阻必须置于合适的隔离岛中或者是标准双极工艺的N型外延层。Cadence在仿真、电路图设计、自动布局布线、版图设计及验证等方面具有强大的功能因此Cadence软件是IC设计师必备的工具。theNBLisrequiredunderNPNtransistors,四年的大学生活就快走入尾声我们的校园生活就要划上句号心中是无尽的难舍与眷恋?

  其次我要感谢大学四年中所有的任课老师和辅导员在学习期间对我的严格要求感谢他们对我学习上和生活上的帮助使我了解了许多专业知识和为人的道理能够在今后的生活道路上有继续奋斗的力量。本声明的法律后果由本人承担。它与正方形边长的大小无关,.面积优化尽量以最小的尺寸绘制单元器件从而提高整个电路的集成度降低成本。baseresistor,因为前辈的经验是最为宝贵的财富使他们在设计过程中对错误的总结。四年的风风雨雨我们一同走过充满着关爱给我留下了值得珍藏的最美好的记忆。产品涵盖了电子设计的整个流程包括系统级设计功能验证IC综合及布局布线模拟、混合信号及射频IC设计全定制集成电路设计IC物理验证PCB设计和硬件仿真建模等。其电阻值为R=ρLtW=(ρt)LW,我们通常把整个需要设计的电路划分成许多个子模块然后针对每个子模块进行设计从而降低设计规模和难度。

  编辑时常用的快捷键有:i:添加新元件p:添加输入输出pinl:添加wirenamew:添加连接线W:添加总线。下图就是典型的HSR电阻的版图和剖面图。如果连线较长连线的平板电容和边缘电容会使工作速度降低。TLl可以产生从lmA到mA电流范围的v基准。版图完成。图方块电阻模型基区电阻设计下图是基区电阻的版图和剖面图。检查此类错误的工具称为LVS工具LayoutVersusSchematic。热退火过程中生长的氧化层可以作为下一步发射区淀积的掩膜。遵守版图设计规则通常大大增加电路成品率的可能性。graphics,本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。M年月日ChristopherSaint。

  这样器件之间的电绝缘就形成了。然后我们使用PO掩膜版刻出图形用专用的刻蚀剂刻蚀出窗口露出金属层用于键合。另外我还要感谢大学四年和我一起走过的同学朋友对我的关心与支持与他们一起学习、生活让我在大学期间生活的很充实给我留下了很多难忘的回忆。集成电路由于横向扩散等一系列工艺偏差导致我们设计的器件与实际形成的器件有一定的偏差。电路(Schematic)设计界面简介:编辑电路的原理图时我们使用Candence自带的analogLib库中的模型(model)。在论文的撰写过程中老师们给予我很大的帮助帮助解决了不少的难点使得论文能够及时完成这里一并表示真诚的感谢。例如在一个混合信号系统中时钟信号必须通过许多长的连线接到各个模块从而产生相当大的连线电容。emitteraMinimumwidthofCONMinimumsizeofCONis*bMinimumspacefromCONtoCONcCONonISOmustbeplacedinsideBASEdCONonislandorSINKmustbeplacedinsideEMITeBASEenclosedCONfEMITenclosedCONgEMITenclosedCONwithincollectorBASEtoEMITjMinimumdiameterofacircularCON附图stmetal(M)ThismaskdefinesthestmetalinterconnectsaMinimumwidthofMbMinimumspaceMtoMcMtoscribelaneforisolatedMdMtoscribelanefornotisolatedMeMinimumMencloseCONfMinimumMencloseCAPgMINLfieldlateoverlaponbaseoflatpnp附图PADThismaskdefinestheopeningwherethebondwiresconnectthecircuittotheleadframeThedesignruleprovidesareferenceonlyAsforthebondingpadpleaseconfirmwithassemblyshopbeforetapeoutBecausesomeofruleisrelatetocapabilityofbondingaExtensionofMorMaroundPAD(fixeddistance)bMinimumsizeofPAXcMinimumspacefromPAtoPARefvoltageadjustmentPA附图Resistor附图毕业设计(论文)原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺:所呈交的毕业设计(论文)是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。我们首先根据电路图和各个器件的结构选择合适的布局以达到尽量减少布线难度的。其次要考虑器件之间的布线得方便基本上一般都按照电路原理图的电路的基本走向进行布局布线。在低噪声应用中长连线可能会产生相当大的热噪声而且接触孔和通孔也存在大的电阻。电容上极板是利用第一层金属形成的。由于基区掺杂元素及其分布直接影响器件电流增益、截止频率等特性因此注入硼的剂量和能量要特别加以控制。布局布线。可适用于高等教育领域*若权利人发现爱问平台上用户上传内容侵犯了其作品的信息网络传播权等合法权益时,只与半导体的掺杂水平和掺杂区的结深(即材料厚度)有关R□=ρd。NBL和深N扩散提供了到晶体管动态基区之下的外延层部分的低阻通路从而有效地降低了集电区电阻。作者签名:日期:年月日导师签名:日期:年月日指导教师评阅书指导教师评价:一、撰写(设计)过程、学生在论文(设计)过程中的治学态度、工作精神□优□良□中□及格□不及格、学生掌握专业知识、技能的扎实程度□优□良□中□及格□不及格、学生综合运用所学知识和专业技能分析和解决问题的能力□优□良□中□及格□不及格、研究方法的科学性技术线路的可行性设计方案的合理性□优□良□中□及格□不及格、完成毕业论文(设计)期间的出勤情况□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格三、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)指导教师:(签名)单位:(盖章)年月日评阅教师评阅书评阅教师评价:一、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格建议成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)评阅教师:(签名)单位:(盖章)年月日教研室(或答辩小组)及教学系意见教研室(或答辩小组)评价:一、答辩过程、毕业论文(设计)的基本要点和见解的叙述情况□优□良□中□及格□不及格、对答辩问题的反应、理解、表达情况□优□良□中□及格□不及格、学生答辩过程中的精神状态□优□良□中□及格□不及格二、论文(设计)质量、论文(设计)的整体结构是否符合撰写规范?□优□良□中□及格□不及格、是否完成指定的论文(设计)任务(包括装订及附件)?□优□良□中□及格□不及格三、论文(设计)水平、论文(设计)的理论意义或对解决实际问题的指导意义□优□良□中□及格□不及格、论文的观念是否有新意?设计是否有创意?□优□良□中□及格□不及格、论文(设计说明书)所体现的整体水平□优□良□中□及格□不及格评定成绩:□优□良□中□及格□不及格(在所选等级前的□内画“√”)教研室主任(或答辩小组组长):(签名)年月日教学系意见:系主任:(签名)年月日学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作所取得的成果。他无论在理论上还是在实践中都给与我很大的帮助使我得到不少的提高这对于我以后的工作和学习都有一种巨大的帮助感谢他耐心的辅导。