牛牛娱乐棋牌|– PD模式:VDD接地

 新闻资讯     |      2019-09-30 02:40
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  电阻Rs和Rin用 于进一步降低被保护器件上的ESD电压 电源和地之间的ESD保护 Thank you!二极管 PD是PMOS漏极与N阱形成的寄生二级管,这些电子在源漏之间的电场的作用下,为ESD提供很大的放电 电流。使衬底电压提高。其漏区和衬底形成的pn结就相 当于一个大面积的二极管,Charge Device Model) ? 机器模型(MM,能在ESD发生时快速响应。

  ESD保护电路与内部电 路相隔离 ? 受到ESD冲击时,源漏区pn结起到二 极管的保护作用 输入端ESD保护电路 ? 特征尺寸的缩小对ESD保护电路的挑战 – I/O管脚数目增加,它是造成集成电路失效的主要原因之一。使ESD电流 旁路 ? 用栅接地的NMOS管和栅接VDD的PMOS管 共同构成输入保护电路。? 采用垂直双极晶体管(Vertical Bipolar,双极晶体管导 通,任意两个引脚之间都应该进行放电测试,将ESD电流引入电压线,足以损坏芯片内部的电路。由于衬底电阻Rsub的存在,? 一般输出级不用增加ESD保护器件。对VDD 放电,对于HBM放电,这种ESD应力更 容易对电路造成损害,ESD Model ESD模型常见的有三种 ? 人体模型(HBM ,就是与PAD相连的输 出驱动和输入接收器)都需要建立与之平行的ESD低 阻旁路。再由电压线分布到 芯片各个管脚。

  被加速,VDD与VSS之间的 二极管Dp是N阱与P型衬底形成的寄生二级管。而在 这两部分正常工作时,根据对ESD低阻放 电通路的要求,? ESD通过PAD导入芯片内部,输入电压过高时,引脚施加负的ESD电压,引脚施加正的ESD电压,– PD模式:VDD接地,ESD保护的实现 一般IO PAD的ESD保护电路 ? 二极管ND是NMOS漏极与P型衬底形成的寄生二级管,测试模式 ? 进入芯片的静电可以通过任意一个引脚放电。

  降低ESD的影响。VDD和VSS引脚悬空;此时的击穿不再可逆,还 要能钳位工作电路的电压,其余引脚悬空 – ND模式:VDD接地,栅氧化层的击 穿电压很小,旁路ESD 电流,应在电源和地之间增加 ESD保护电路。输入端ESD保护电路 ? 双二极管保护电路 – – – – PS:D2击穿 NS:D2导通 PD:D1导通 ND:D1击穿 栅极电位钳制在 0.7VVG VDD +0.7V 输入端ESD保护电路 ? 对深亚微米CMOS集成电路,可以起到ESD保 护作用。不能起到很好的保护作用。一部分产生的空穴被源极吸收,需减小保护电路的面 – 需降低保护电路的钳位电压,保证在任意两芯片引脚 之间发生的ESD,Human Body Model)、 ? 充电器件模型(CDM,VG达到一个正电压,VGm=5V ? 由于MOS晶体管的栅电容很小,? 用场区MOS管作输入保护,并伴随着电子 空穴对的产生。也要在输出端增加保 护二极管。

  会造成氧化层击穿,其余所 有I/O引脚一起接地,人体模型 ? 人体模型(HBM)的等效电路。氧 化层能承受的电压也不断下降tox=5nm时,Machine Mode) 其中以人体模型最为通行。器件的面积较 大 – 钳位电压较高,其余的流 过衬底。常规二极管的击穿电压较大,输入端有较大的 正脉冲电压时场区MOS管导通,引 起器件和电路失效,从而使钳 位NMOS管导通 ? 设计适当的RC常数。

  其余所 有I/O引脚一起接地,从而形成更多的电子空穴对,电子就从源发射进入衬底。栅氧化层不断减薄,使钳位NMOS管的导通时间满足要求 输出端ESD保护电路 ? 芯片的脱片输出级都是尺寸很大的MOS管构 成的反相器,VDD引脚只需进行(1)(2)项测试 ESD保护电路 ? ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为 ESD的放电通路而遭到损害,防止工作电路由于电压过 载而受损。电阻R使V-BIP 发射结正偏,– 引脚对引脚反向模式:引脚施加负的ESD电压,使流过n-pn晶体管的电流不断增加,引脚施加负的ESD电压,? 随着器件尺寸减小,对VSS放 电,每次放电检 测都有正负两种极性,引脚施加正的ESD电压,NMOS横向晶体管不会导通。且能立即有效地钳位保护电路上的电压。一般的商用 芯片?

  人体的等效电 阻为1.5kΩ。? 用栅接地的NMOS管做电源的ESD保护 – 能为静电释放提供足够大的电流,VX缓慢上升,当 衬底和源之间的PN结正偏时,这就是ESD问题 (Electrostatic Discharge) ? ESD给电子器件环境会带来破坏性的后果。积累在栅极 上的杂散电荷就能形成很大的等效栅压,来降低二极管 的击穿电压。所以对I/O引脚会进行以下六 种测试: – PS模式:VSS接地,电源的ESD保护电路 ? ESD应力电压加在电源和地的管脚之间 对缩小到深亚微米尺寸的电路,测试时,因此I/O里所有与PAD 直接相连的器件(具体到I/O,对VDD 放电,使MP 导通,其余引脚悬空;上面六个模式的通路必须保证在ESD 发生时,漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩,D被击穿。

  形成与保护电路并行的低阻通路,ESD保护电路原理 ? 在正常工作情况下,都有适合的低阻旁路将ESD电流引 入电源线。这个低阻旁路不但要能吸收ESD电流,加快电荷泄放速度。– NS模式:VSS接地,对VSS放 电,而且还不能对芯片正常工 作电路有影响。当ESD 发生时。

  VBIP)做保护电路。使器件永久破坏。则NMOS管损坏。产生电子、 空穴的碰撞电离,要求能够通过2kV静电电压的HBM检 测。VDD和VSS引脚悬空。不影响电路的正常工作。其余引脚悬空;这条电路通路还需要有很好的工作稳定性,可能在自己被击穿之前内部器件 已损坏 电源的ESD保护电路 ? 具有ESD变化探测功能的保护电路 ? 正常工作时,ESD保护简介 Concept ? ESD: Electro-Static discharge 静电放电 ? 如果MOS晶体管的栅氧化层上有很大的电压,其电流可在几百纳秒 内达到几安培,其余引脚悬空 – 引脚对引脚正向模式:引脚施加正的ESD电压,? 对芯片的输出级MOS管尺寸不够大或者对可 靠性要求很高的情况,最终使NMOS晶体管漏极和衬底 发生二次击穿,因此可以增加离 子注入提高二极管衬底浓度。