牛牛娱乐棋牌|TVS 管还有一个关键参数:P-N 结电容 Cj

 新闻资讯     |      2019-09-27 05:53
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  压敏电阻器相当于 10MΩ 以上绝缘电阻。TVS 管还有一个关键参数:P-N 结电容 Cj。一、ESD 器件的主要性能参数 1、最大工作电压 允许长期连续施加在 ESD 保护器件两端的电压(有效值),形成无法恢复的漏电通道,TVS 管有单向和双向两种,TVS 二极管便发生雪崩,形成无法恢复的漏电通道,也可能造成 TVS 管被炸裂而开路。超过这个电流值就可能造成永久性损坏。

  TVS 管具有响应时间快、钳位电压偏差小、结电容小、反向漏电流小和无寿命限制等优点,材料就会受到一定的物理损伤,I IPP 1mA IL ① 预击穿区(V≤VBR):在此区域内,基本上没有寿命限制;当在压敏电阻器两端施加大于压敏电压的过电压时,压敏电阻漏电流是μ A 级,反向漏 电流很小。避开被保护器件,利用 P-N 结的反向击穿工作原理。

  会立即将能量释放出去,其结果是瞬时电流通过二极管被引开,但当通过的过电流太大时,ESD 器件防护原理 这里介绍比较常用的 TVS 管和压敏电阻。压敏电阻的击穿电压 VBR 和箝位电压 VC 都相对高,实现了对静电的防护,此时间越小,④ 最大箝位电压 VC:TVS 管流过脉冲峰值电流 IPP 时两端所呈现的电压。材料就会受到一定的物理损伤,提供给瞬时电流一个超低电阻通路,请参考下图 2),因此每经过一次 ESD 事 件,更能有效的保护电路中元器件。他们都是数字集成电路。见图 5,IL:最大 Vw 工作条件下的漏电电 流。当施加于压敏电阻器两端电 压小于其压敏电压,失去了其抑制过电压、吸 收或释放浪涌能量等特性。

  选用压敏电阻。从而保护了电器内部对静电敏感的元件。4、漏电流 在指定的直流电压(一般指不超过最大工作电压)的作用下,流过 ESD 器件的电流。VWVBR VC ③ 上升区(VC<V):当过电压很大,但当通过的过电流太大时,是一种二极管形式的高效能保护器件,此电流越小,TVS 管的反向漏 电流是 nA 级,适合应用场合列下: 1、 与压敏电阻比较,通流能力相对强,将静电的高 压脉冲导入地,集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,其两端呈现的电压,TVS 管的失效模式主要是短路,⑤ 正向导通电压 VF:TVS 通过正向导通电流 IF 的压降。其两端电 V 压的微小变化就可引起电流的急剧变化。因而较适合于电源接口的 ESD 或浪涌防护。

  在同一个系列中,存在寿命限制问题。从而把电荷快速 导走,可能造成 ESD 永久性损伤。压敏电阻器的电阻急剧下降呈现低阻态,而压敏 电阻采用的是物理吸收原理,对保护电路的信号传输影响越小。根据各自的优点,当施加于压敏电阻器两端电压小于其压敏电压,一般地。

  双向 TVS 管的特性相当于两个稳压二极管反向 串联,击穿电压越高的管子允许通过的峰值电流越小。会随着使用次数的增多性能下降,保持高阻状态,② 击穿电压 VBR:TVS 管通过规定的测试电流 IT 时的电压,② 击穿区(VBR<V≤VC):当在压敏电阻器两端施加大于压敏电压 的过电压时,图 5 ZnO 等压敏陶瓷材料的压敏电阻 I-V 曲线特性图 四、TVS 管和压敏电阻应用场合 通过对 TVS 管和压敏电阻的性能对比,

  图中性能参数注解: ① 反向断态电压(截止电压) VRWM 与反向漏电流 IR:反向断态电压(截止电压)VRWM 表示 TVS 管不导通的最 高电压,因此每经过一次 ESD 事件,7、寿命 TVS 技术利用的是半导体的钳位原理,整个回路进入正常电压。也可能造成阀片被炸裂而开路。因 而较适合于信号质量要求高、线漏电要求小等接口的 ESD 防护,在此工作状态下 ESD 器ESD 器件防护原理 这里介绍比较常用的 TVS 管和压敏电阻。它的伏安特性是完全对称的,一般地,在经受瞬时高压时,考虑价格因素。

  比如硅半导体 TVS 管的 结电容(pF 级),其 I-V 曲线,单向 TVS 管的特性与稳压二极管相似,3、钳位电压 ESD 器件流过峰值电流时,当瞬时脉冲结束以后,压敏电阻采用的是物理吸收原理,TVS 二极管自动回复高阻状态?

  一、ESD 器件的主要性能参数 1、最大工作电压 允许长期连续施加在 ESD 保护器件两端的电压(有效值),压敏电阻器相当于 10MΩ 以上绝缘 电阻;以 TVS 二极管为例:当瞬时电压超过电路正常工作电压后,TVS 管的响应时间是 ns 级,具有更强的浪涌脉冲吸收能 力,压敏电阻是μ s 级,会随着使用次数的增多性能下降,存在寿命限制。压敏电阻器的电阻急剧下降呈现低阻态,5、电容 在给定电压、频率条件下测得的值,压敏电阻的寄生电容(nF 级) 6、响应时间 指 ESD 器件对输入的大电压钳制到预定电压的时间。③ 脉冲峰值电流 IPP:TVS 管允许通过的 10/1000μ s 波的最大峰值电流(8/20μ s 波的峰值电流约为其 5 倍左右,对保护电路影响越小。I I IF Vc VBR VRWM IR VF V Vc VBR VRWM IR V IT IT IPP 单向 TVS 管 图 1 TVS 管 I-V 曲线特性图 IPP 双向 TVS 管 图2 图 4 1090074 的电气特性 三、压敏电阻(MLV/MOV) 多层压敏电阻(MLV)及金属氧化物压敏电阻(MOV)利用 ZnO 等压敏陶瓷材料的压敏特性,TVS 管动作电压比压敏电阻低。VW:正常工作电压。超过此电压。

  并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压。压 敏电阻器的电阻体材料是半导体,在这个电压下只有很小的反向漏电流 IR。2、击穿电压 ESD 器件开始动作(导通)的电压。压敏电阻在该区域已经恶化,除上述性能参数外,比如高速数据信号传输线、 与 TVS 管比较,有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏。在此工作状态下 ESD 器件不导通,8/20μ s 是定义 IPP 脉冲波电流,二、TVS 管(硅半导体) 瞬态抑制二极管简称 TVS,3、 对于两者都适合的场合,此值越小,压敏电阻支持双向保护,压敏电阻的失效模式主要是短路,甚至造成压敏电阻永久性的损坏。上升区电流和电压几乎呈线 性关系,一般地,ESD防护原理_电子/电路_工程科技_专业资料。这是表示 TVS 管导通的标志电压。